[发明专利]一种可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法

摘要

一种可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其包括：提供有单元存储区域和外围器件区域的基底；在基底表面沉积第一多晶硅栅层；在第一多晶硅栅层表面生长一层氧化硅阻挡层；在氧化硅阻挡层表面进行光刻胶涂布和显影，露出外围器件区域，仅刻蚀去除外围器件区域的氧化硅阻挡层；在单元存储区域的氧化硅阻挡层和外围器件区域的第一多晶硅栅层表面沉积第二多晶硅栅层；在第二多晶硅栅层表面进行光刻胶涂布和显影，露出单元存储区域，刻蚀去除仅单元存储区域的第二多晶硅栅层；刻蚀去除剩余的氧化硅阻挡层；在单元存储区域和外围器件区域的多晶硅栅表面进行光刻胶涂布和显影，经过干法刻蚀形成最终的双多晶硅栅结构。

主权项

1.一种可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一单元存储区域和外围器件区域；步骤S2：在半导体基底表面沉积第一多晶硅栅层；步骤S3：在第一多晶硅栅层表面生长一层氧化硅阻挡层；步骤S4：在氧化硅阻挡层表面进行光刻胶涂布和显影，露出外围器件区域，仅刻蚀去除外围器件区域的氧化硅阻挡层，去除剩余的光刻胶；步骤S5：在单元存储区域的氧化硅阻挡层和外围器件区域的第一多晶硅栅层表面沉积第二多晶硅栅层；步骤S6：在第二多晶硅栅层表面进行光刻胶涂布和显影，露出单元存储区域，刻蚀去除仅单元存储区域的第二多晶硅栅层，去除剩余的光刻胶；步骤S7：刻蚀去除剩余的氧化硅阻挡层；步骤S8：在单元存储区域和外围器件区域的多晶硅栅表面进行光刻胶涂布和显影，经过干法刻蚀形成最终的双多晶硅栅结构。