[发明专利]一种恒电流二极管单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种恒电流二极管单元及其制作方法，本发明在N+e衬底硅片上生长出N‑硅外延层，在N‑硅外延层上扩散出两个高掺杂的P+扩散层和两个用于连接负电极的N+扩散层，在两个P+扩散层之间的N‑硅外延层上扩散出一个厚度小于N‑硅外延层厚度的用于连接正电极的N+扩散层，然后在用于连接正电极的N+扩散层上连接一个金属电极作为正电极，在每个P+扩散层与一个用于连接负电极的N+扩散层之间都连接一个金属电极作为负电极，同时在N+e衬底硅片的底面也连接覆盖一层金属电极作为负电极，在N‑硅外延层、P+扩散层和N+扩散层的外表面上覆盖有二氧化硅绝缘层。本发明具有低恒定电流启动电压和宽范围电压的恒流及高速的电物理特性等优点。

主权项

一种恒电流二极管单元的制作方法，其特征在于：采用低阻高掺杂的N型半导体硅片作为N+e衬底硅片，然后在N+e衬底硅片上通过半导体生长工艺制作出高阻低掺杂的N‑硅外延层，在N‑硅外延层上通过半导体扩散工艺分别制作出两个高掺杂的P+扩散层和两个用于连接负电极的高掺杂的N+扩散层，使该用于连接负电极的N+扩散层与N+e衬底硅片连通，并使每个P+扩散层和每个用于连接负电极的N+扩散层相互之间被N‑硅外延层相互隔离，同时在两个P+扩散层之间的N‑硅外延层上扩散出一个厚度小于N‑硅外延层厚度的用于连接正电极的N+扩散层，然后在用于连接正电极的N+扩散层上连接一个金属电极作为正电极，在每个P+扩散层与一个用于连接负电极的N+扩散层之间都连接一个金属电极作为负电极，同时在N+e衬底硅片的底面也连接覆盖一层金属电极作为负电极，然后在N‑硅外延层的外表面、P+扩散层的外表面和N+扩散层的外表面上覆盖一层二氧化硅绝缘层即成。