[发明专利]一种基于多起始点重要性采样技术的快速计算SRAM失效概率的方法

摘要

本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及考虑纳米工艺扰动下SRAM失效概率快速计算方法。本方法通过在参数空间内进行多起始点序列二次规划算法，搜索多个失效区域对应的最优偏移向量，构建重要性采样所需的偏移概率分布密度函数，并通过自适应建模技术加速重要性采样。本发明仿真精度高、仿真次数少，能达到快速计算的目的。本发明方法估计SRAM失效概率所需的SPICE仿真次数与参数空间维度大致呈线性关系，在高维参数空间中相较于现有技术具有较大优势。

主权项

一种基于多起始点重要性采样技术的快速计算SRAM失效概率的方法，其特征在于，通过多起始点序列二次规划算法寻找最优偏移向量，并加入自适应建模技术，其包括：输入参数：1)SRAM存储单元电路网表、SPICE电路仿真器；2)由仿真电路的n个工艺扰动参数构成一个向量x，该向量的维度为n；x‑、x+分别是参数扰动的上下界、电路参数服从概率分布密度函数p(x)的概率分布；3)每个性能参数的指标Yp,p＝1,...,Np，其中Np为关心性能参数的数量，并假设对第p个性能yp，如果仿真结果yp＜YP则认为电路失效；4)Sobol序列采样数量M1、聚类中心数量M2、滤除多余聚类中心的检测数Ntrial、模型精度阈值TE、目标品质因数Qtarget；输出结果：SRAM失效概率Pfail步骤1：通过多起始点序列二次规划搜索每一个失效区域对应的最优偏移向量；步骤2：基于步骤1中得到的偏移向量，构建混合高斯偏移概率分布密度函数；步骤3：根据步骤2所构建的偏移概率分布密度函数进行重要性采样，并采用自适应建模技术，估计SRAM的失效概率。