[发明专利]一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法有效
| 申请号： | 201610642661.3 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106276873B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;马骏;张苗;薛忠营;贾鹏飞;汪子文;王刚;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，以从所述点缺陷处对所述石墨烯进行刻蚀，得到纳米孔。本发明的制备锗基石墨烯纳米孔的方法获得的石墨烯纳米孔具有质量好、尺寸易于调节、不会刻蚀石墨烯等优势。另外，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺。所以本发明的制备方法将能更快地推动石墨烯在单层膜材料上的推广与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 锗基 纳米孔 制备 点缺陷 衬底 刻蚀 离子注入技术 退火 半导体行业 单层膜材料 退火技术 离子 成熟 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一锗基石墨烯，所述锗基石墨烯包括Ge衬底及形成于所述Ge衬底上的石墨烯；S2：对所述锗基石墨烯进行离子注入，以在所述石墨烯中产生点缺陷；S3：对所述锗基石墨烯进行退火，其中，退火温度范围是300‑800℃，刻蚀气体包括氢气，退火时间为1‑120min，以从所述点缺陷处对所述石墨烯进行刻蚀，得到纳米孔，所述锗基石墨烯在退火调节所述纳米孔大小的同时还能确保所述石墨烯在制备所述纳米孔前后的尺寸不会减少。
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