[发明专利]一种晶圆级可靠性热载子的并行测试方法在审

专利信息
申请号: 201610606956.5 申请日: 2016-07-28
公开(公告)号: CN106226671A 公开(公告)日: 2016-12-14
发明(设计)人: 王伟;吕少力 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/00
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种晶圆级可靠性热载子的并行测试方法,其通过初始化测试设置文件、利用开关矩阵对在晶圆上需测试器件信息文件中记录的多个器件建立并行应力施加HCI测试结构和根据参数施加命令文件和完成施加HCI应力条件的时间读点文件,对在晶圆上需测试器件信息文件中记录的多个器件进行检测,并将关键参数的检测结果分类存储到数据库中,以便根据关键参数的测试值(阈值电压、饱和电流)来判断被检器件是否正常。因此,本发明能够在保证热载子失效物理机制相同的情况下大幅度缩短测试时间,使单位时间的产出成倍提升,并可以根据实际需要改变并行测试的器件数量,实现工作效率的飞跃。
搜索关键词: 一种 晶圆级 可靠性 热载子 并行 测试 方法
【主权项】:
一种晶圆级可靠性热载子的并行测试方法,其特征在于,包括:步骤S1:初始化测试设置文件;其中,所述的测试设置文件包括在晶圆上需测试器件信息文件、参数施加命令文件和完成施加HCI应力条件的时间读点文件;所述参数施加命令文件包括被施压前、施压时和施压后的参数数据和参数施加命令;步骤S2:利用开关矩阵对在晶圆上需测试器件信息文件中记录的多个器件建立并行应力施加HCI测试结构;步骤S3:根据参数施加命令文件和完成施加HCI应力条件的时间读点文件,对在晶圆上需测试器件信息文件中记录的多个器件进行检测,并将关键参数的检测结果按施压前、施压时和施压后分类存储到数据库中。
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