[发明专利]一种氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610581647.7 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106158588B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 汪建国 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法。根据本发明氧化物薄膜的制备方法包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在薄膜上进行掩膜，未掩膜的薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧结固化形成氧化物薄膜。根据本发明制备方法得到的氧化物薄膜。根据本发明薄膜晶体管的制备方法包括根据本发明的氧化物薄膜的制备步骤。本发明的薄膜晶体管包括根据本发明制备方法得到的氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：涂布前烘成膜步骤：将含有化学活性组分的有机溶液进行涂布和前烘形成薄膜，其中，所述化学活性组分中包括重氮萘醌感光树脂；掩膜曝光步骤：在所述薄膜上进行掩膜，未掩膜的所述薄膜在曝光后用碱性溶液除去；氧化物薄膜形成步骤：将掩膜部分经高能紫外线照射和臭氧处理后，经烧结固化形成氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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