[发明专利]低暗电流高速PIN探测器及其加工方法

摘要

本发明揭示了一种低暗电流高速PIN探测器，包括衬底，所述衬底上生长有P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上覆盖有增透膜，所述增透膜上设置有至少一个P型欧姆接触电极，所述衬底上端面除P型欧姆接触层外的区域均覆盖有阻隔层，所述阻隔层上覆盖有增透膜，所述衬底下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层及N型欧姆接触电极，所述衬底上端面开设有第一隔离沟槽，所述衬底下端面开设有第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽位于所述P型欧姆接触层的外周侧，所述第一隔离沟槽与第二隔离沟槽上下对应。本发明能够有效减少器件内部的暗电流，效果优异，具有很高的使用及推广价值。

主权项

低暗电流高速PIN探测器，可用于红外、可见光、紫外或太赫兹波段范围内的光线探测，其特征在于：包括衬底(101)，所述衬底(101)上生长有P型欧姆接触层(103)，所述P型欧姆接触层(103)上覆盖有增透膜(102)，所述增透膜(102)上设置有至少一个与所述P型欧姆接触层(103)触接的P型欧姆接触电极(106)，所述衬底(101)上端面除所述P型欧姆接触层(103)外的区域均覆盖有阻隔层(108)，所述阻隔层(108)上覆盖有增透膜(102)，所述衬底(101)的下端面由上至下依次覆盖生长有N型欧姆接触层(105)及N型欧姆接触电极(106)，所述衬底(101)的上端面开设有一圈第一隔离沟槽(104)，所述衬底(101)的下端面开设有一圈第二隔离沟槽(109)，所述第一隔离沟槽(104)与第二隔离沟槽(109)内均填充有阻隔材料，所述第一隔离沟槽(104)位于所述P型欧姆接触层(103)的外周侧，所述第一隔离沟槽(104)与第二隔离沟槽(109)上下对应。