[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 201610556805.3 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106356362B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 渡边伸介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种晶体管，该晶体管能够抑制振荡，而不会发生性能的劣化、电阻的损伤。在半导体衬底(1)之上形成有多个栅极电极(2)、多个源极电极(3)及多个漏极电极(4)。漏极焊盘(7)形成于半导体衬底(1)之上，与多个漏极电极(4)连接。金属配线(10)形成于半导体衬底(1)之上，与漏极焊盘(7)分离并相邻，与漏极焊盘(7)平行地配置。接地焊盘(11)形成于半导体衬底(1)之上，与金属配线(10)的两端连接。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，具有：半导体衬底；多个栅极电极、多个源极电极及多个漏极电极，它们形成于所述半导体衬底之上；漏极焊盘，其形成于所述半导体衬底之上，与所述多个漏极电极连接；金属配线，其形成于所述半导体衬底之上，与所述漏极焊盘分离并相邻，与所述漏极焊盘平行地配置；以及接地焊盘，其形成于所述半导体衬底之上，与所述金属配线的两端连接，所述漏极焊盘整体与所述金属配线相对而构成电容器。
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