[发明专利]一种双向耐高压的ESD保护器件结构

摘要

本发明涉及一种双向耐高压的ESD保护器件结构，该ESD保护器件包括衬底，还包括闭合的NWELL环和一整块DNWELL，闭合的NWELL环底部与DNWELL相连，将衬底表面的部分区域隔离出来，形成独立区域；在独立区域上进行第一高浓度P型注入，形成三极管PNP的发射极；在闭合的NWELL环上进行第二高浓度P型注入，形成PN结；在衬底进行第三高浓度P型注入，形成三极管PNP的集电极。施加在该ESD保护器件两端的电压远高于工作电压并且所施加在两端的电压方向相互变化时，该ESD保护器件不会发生漏电现象，本发明解决了该漏电难题。

主权项

1.一种双向耐高压的ESD保护器件结构，所述ESD保护器件包括衬底(4)，其特征在于：还包括闭合的NWELL环(2)和一整块DNWELL(3)，所述闭合的NWELL环(2)底部与所述DNWELL(3)相连，将所述衬底(4)表面的部分区域隔离出来，形成独立区域(8)；在所述独立区域(8)上具有第一高浓度P型注入区(5)，作为三极管PNP的发射极；在所述闭合的NWELL环(2)上具有第二高浓度P型注入区(6)，作为PN结；在所述衬底(4)具有第三高浓度P型注入区(7)，作为三极管PNP的集电极。