[发明专利]一种微电流检测电路有效

专利信息
申请号: 201610554311.1 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN106249023B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 周泽坤;龚宏国;刘程嗣;石跃;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子电路技术领域,涉及一种微电流检测电路。本发明的宽带微电流检测电路分为前后两级,前级为低输入阻抗的跨阻放大器,在足够宽的带宽下实现电路的主要跨阻增益;后级为电压增益级,为电路提供一定的增益和增加电路驱动能力。本发明可以实现几十兆赫兹以上的带宽和超过106量级的跨阻增益。
搜索关键词: 一种 电流 检测 电路
【主权项】:
1.一种微电流检测电路,包括光电二极管、前级跨阻放大器、后级电压放大器和偏置电路;其特征在于,所述前级跨阻放大器由第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第六电阻R6、第九电阻RF1、第十电阻RF2、第十一电阻RF3、第一电容CF1、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6和PMOS管MP0构成;第一NMOS管M1的栅极接光电二极管的负极,光电二极管的正极接地,第一NMOS管M1的漏极通过第一电阻R1后接电源,第一NMOS管M1的源极接地;第二NMOS管M2的栅极接第一NMOS管M1的漏极,第二NMOS管M2的漏极接电源,第二NMOS管M2的源极通过第二电阻R2后接地;第三NMOS管M3的漏极通过第三电阻R3后接电源,第三NMOS管M3的栅极接第二NMOS管M2的源极,第三NMOS管M3的源极接地;第四NMOS管M4的漏极接电源,第四NMOS管M4的栅极接第三NMOS管M3的漏极,第四NMOS管M4的源极通过第四电阻R4后接地;PMOS管MP0的源极接电源,其栅极接偏置电路的输出端;第五NMOS管M5的漏极接PMOS管MP0的漏极,第五NMOS管M5的栅极接第四NMOS管M4的源极,第五NMOS管M5的源极接地;第六NMOS管M6的漏极接电源,第六NMOS管M6的栅极接PMOS管MP0的漏极,第六NMOS管M6的源极通过第六电阻R6后接地;第五NMOS管M5的栅极通过第九电阻RF1后接第六NMOS管M6源极与第六电阻R6的连接点;第一NMOS管M1的栅极依次通过第十电阻RF2和第十一电阻RF3后接第六NMOS管M6源极与第六电阻R6的连接点;第一电容CF1与第十一电阻RF3并联;第九电阻RF1、第六NMOS管M6源极、第六电阻R6、第一电容CF1和第十一电阻RF3的连接点为前级跨阻放大器的输出端;所述后级电压放大器由第七电阻R7、第八电阻R8、第三电容CBP、第二电容CF2和运算放大器构成;运算放大器的正输入端接前级跨阻放大器的输出端,运算放大器负输入端依次通过第七电阻R7和第三电容CBP后接地,运算放大器的输出端为后级电压放大器的输出端;第八电阻R8的一端接运算放大器负输入端与第七电阻R7的连接点,第八电阻R8的另一端接运算放大器的电源端;第二电容CF2和第八电阻R8并联。
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