[发明专利]一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法在审
| 申请号： | 201610547515.2 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106082113A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 彭琎;孙滨;吴天准 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法，所述方法包括如下步骤：在电极的表面形成掩膜层；所述掩膜层上具有若干个贯穿所述掩膜层的空隙；通过在所述掩膜层上沉积金属层，在所述空隙内形成与所述电极的表面连接的金属点；去除所述掩膜层以及所述掩膜层上的金属层，使得所述金属点暴露出来。本发明通过掩膜在电极表面制得三维金属微结构，既能与组织界面紧密接触，又能获得较好的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 加工 电极 表面 制备 三维 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在电极的表面形成掩膜层；所述掩膜层上具有若干个贯穿所述掩膜层的空隙；(2)通过在所述掩膜层上沉积金属层，在所述空隙内形成与所述电极的表面连接的金属点；(3)去除所述掩膜层以及所述掩膜层上的金属层，使得所述金属点暴露出来。
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