[发明专利]一种CsPbI3薄膜的溶液制备方法及其光伏器件的应用

摘要

本发明公开了一种CsPbI3薄膜的溶液制备方法及其光伏器件的应用，其中CsPbI3薄膜的溶液制备方法是首先通过陈化方法制备CsPbI3前驱体溶液，随后旋涂并干燥制备CsPbI3前驱体薄膜，最后通过溶剂退火的方法制备CsPbI3薄膜。本发明无需惰性气氛保护，在大气条件下所制备的无机钙钛矿电池稳定性较好，前期光电效率已达3.19％；同时工艺简单、成本低廉、易于工业化放大，因而有望推动无机钙钛矿电池的发展与应用。

主权项

1.一种CsPbI3薄膜的溶液制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)CsPbI3前驱体溶液的制备：将0.5mmol CsI和0.5mmol PbI2加入到2mL DMF中搅拌至溶解完全，随后加入66μL 57wt％的HI溶液助溶，继续搅拌直至溶解完全，静置陈化48小时，得到黄色CsPbI3前驱体溶液；(2)CsPbI3前驱体薄膜的制备：在FTO玻璃基底上旋涂所述CsPbI3前驱体溶液，旋转速度为2000rpm，旋涂时间为30s，随后置于100℃的加热板上干燥10min，即得到CsPbI3前驱体薄膜；(3)CsPbI3薄膜的制备：在玻璃培养皿中加入30mL溶剂，将所述CsPbI3前驱体薄膜浸泡在溶剂中，并将玻璃培养皿放在80～200℃的加热板上退火，退火时间为1～15min，退火结束后将基底吹干，通过溶剂诱导晶粒二次生长得到大晶粒的CsPbI3致密薄膜。