[发明专利]一种基于太赫兹肖特基二极管的电特性来推导物理特性的方法在审
| 申请号： | 201610533765.0 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105974295A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张勇;任田昊;徐锐敏;延波;赵伟;赵孟娟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种应用于太赫兹器件领域的肖特基二极管的电特性来推导其物理特性的方法。它通过厂家提供的反向击穿电压等参数计算外延层参杂浓度、厚度，获取肖特基结阳极面积，进而根据其外观尺寸建立二极管的三维全波电磁仿真模型，以充分考虑寄生效应的影响。此方法对肖特基势垒二极管的模型建立提供了极大的帮助，并且具有一定的通用性，可以推广到其他形式的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 赫兹 肖特基 二极管 特性 推导 物理 方法 | ||
【主权项】：
一种简洁快速的基于肖特基二极管的电特性来推导物理特性的方法，其特征在于：电特性指的是厂商通常会提供的电参数，如反向击穿电压、I‑V特性曲线和零偏结电容等等；本发明所推导的物理特性指的是二极管的外延层参杂浓度、外延层厚度和阳极面积等等；根据式(1)可以从反向击穿电压推出外延层浓度，根据式(2)可以从I‑V特性曲线和反向击穿电压等推出外延层厚度，根据式(3)可以从零偏结电容推出阳极面积，三个式中都利用了一些材料的常数，都可由标准手册中查询到；本方法具有快速、简洁的特点，以M/A‑COM公司的商用肖特基二极管MA4E2038为例，利用本方法的方法，得到的物理特性参数及厂家提供的电参数总结如表1所示。
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