[发明专利]一种高传质性硒化铜微纳米粉体材料、其合成方法及用途

摘要

本发明涉及一种高传质性硒化铜微纳米粉体材料，具体地为一种硒化铜微纳米粉体材料，所述微纳米粉体材料为半导体化合物，所述半导体化合物的化学式为CuxSe:M，x＝1～2；M＝Sb,Sn,Bi；其熔点低于550℃。本发明所述的硒化铜微纳米粉体材料可以作为晶粒生长辅助剂，该助剂通过混合或掺杂的方式进入CIS、CIGS薄膜，具体依薄膜制备工艺的特点而定，如蒸发镀膜工艺中，可通过共蒸发实现所述混合或掺杂；溅射镀膜工艺中，可将助剂粉料压制成靶材，通过叠层镀膜实现；纳米颗粒涂布工艺中，可通过助剂纳米颗粒与CIS、CIGS纳米颗粒的混合涂布实现。

主权项

一种高传质性、低熔点硒化铜微纳米粉体材料，其特征在于，所述微纳米粉体材料为半导体化合物，所述半导体化合物的化学式为CuxSe:M，x＝1～2；M＝Sb,Sn,Bi；其熔点低于550℃。