[发明专利]铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用有效
申请号: | 201610518121.4 | 申请日: | 2016-07-01 |
公开(公告)号: | CN106205772B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 孙蓉;张昱;朱朋莉;李刚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01B13/00;H01L21/603;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张德斌;姚亮 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种铜基导电浆料及其制备与其在芯片封装铜铜键合中的应用,该铜基导电浆料是通过将预处理后的纳米铜颗粒均匀分散于导电浆料溶液中得到的,以该铜基导电浆料的总质量为100%计,所述纳米铜颗粒占该铜基导电浆料总质量的10~90%。本发明还提供了一种应用所述铜基导电浆料的芯片封装铜铜键合方法。该方法利用铜基导电浆料中所含纳米铜颗粒小尺寸带来的低熔点性能,促进铜铜界面在较低温度和较小压力下进行键合,并可以有效保证键合强度和效率,且该方法工艺简单、成本低廉、环境友好,所以通过该方法可以实现倒装芯片互连的低温高密度封装集成。 | ||
搜索关键词: | 铜基导电浆料 键合 铜铜 纳米铜颗粒 芯片封装 制备 预处理 应用 低熔点性能 高密度封装 倒装芯片 导电浆料 环境友好 小压力 互连 保证 | ||
【主权项】:
1.一种用于芯片封装铜铜热压超声键合的铜基导电浆料,其特征在于,该铜基导电浆料是通过将预处理后的纳米铜颗粒均匀分散于导电浆料溶液中得到的,以该铜基导电浆料的总质量为100%计,所述纳米铜颗粒占该铜基导电浆料总质量的75~90%;以该铜基导电浆料的总重量为100%计算,所述导电浆料溶液包括10~80wt%的溶剂、1~10wt%的分散剂、1~10wt%的粘度调节剂以及1~10wt%的其它添加剂,且所述溶剂、分散剂、粘度调节剂、其它添加剂及预处理后的纳米铜颗粒的质量百分数之和为100wt%。
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