[发明专利]一种N型双面电池的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610514814.6 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN106129173B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 杨洁;福克斯·斯蒂芬;蒋方丹;金浩;黄纪德;王东;王金艺 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种N型双面电池的制造方法,包括对硅片进行清洗和表面制绒;在所述硅片的正面和背面进行硼扩散,形成正面硼扩层和背面硼扩层,所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃;在所述硅片的正面制备SiNx掩膜;刻蚀掉所述SiNx掩膜和所述背面硼扩层;利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护,在所述硅片的背面进行磷扩散,形成背面磷扩层,所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃;刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃;在所述硅片的正面和背面制备SiNx钝化膜,并分别制备前电极和背电极。上述方法能够减少HF刻蚀的时间,避免了背面多孔硅的形成,从而有效降低电池背面的复合从而提高电池的并联电阻和开路电压,提高电池效率。
搜索关键词: 一种 双面 电池 制造 方法
【主权项】:
一种N型双面电池的制造方法,其特征在于,包括:对硅片进行清洗和表面制绒;在所述硅片的正面和背面进行硼扩散,形成正面硼扩层和背面硼扩层,所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃;在所述硅片的正面制备SiNx掩膜;刻蚀掉全部的所述SiNx掩膜和所述背面硼扩层;利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护,在所述硅片的背面进行磷扩散,形成背面磷扩层,所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃;刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃;在所述硅片的正面和背面制备SiNx钝化膜,并分别制备前电极和背电极。
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