[发明专利]一种N型双面电池的制造方法有效
申请号: | 201610514814.6 | 申请日: | 2016-06-28 |
公开(公告)号: | CN106129173B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 杨洁;福克斯·斯蒂芬;蒋方丹;金浩;黄纪德;王东;王金艺 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种N型双面电池的制造方法,包括对硅片进行清洗和表面制绒;在所述硅片的正面和背面进行硼扩散,形成正面硼扩层和背面硼扩层,所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃;在所述硅片的正面制备SiNx掩膜;刻蚀掉所述SiNx掩膜和所述背面硼扩层;利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护,在所述硅片的背面进行磷扩散,形成背面磷扩层,所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃;刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃;在所述硅片的正面和背面制备SiNx钝化膜,并分别制备前电极和背电极。上述方法能够减少HF刻蚀的时间,避免了背面多孔硅的形成,从而有效降低电池背面的复合从而提高电池的并联电阻和开路电压,提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种N型双面电池的制造方法,其特征在于,包括:对硅片进行清洗和表面制绒;在所述硅片的正面和背面进行硼扩散,形成正面硼扩层和背面硼扩层,所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃;在所述硅片的正面制备SiNx掩膜;刻蚀掉全部的所述SiNx掩膜和所述背面硼扩层;利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护,在所述硅片的背面进行磷扩散,形成背面磷扩层,所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃;刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃;在所述硅片的正面和背面制备SiNx钝化膜,并分别制备前电极和背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的