[发明专利]一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件

摘要

本发明公开了一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件，它包括阳极、阴极、引导磁场发生器、慢波结构和同轴内导体，所述的阳极内部设置有发射区和束波互作用区，所述的阴极设置在发射区内，所述的慢波结构和同轴内导体均设置在阳极的束波互作用区内，所述的阴极与同轴内导体同轴，慢波结构与阳极的内侧固定且设置在同轴内导体的外围，重频低磁场轴向C波段高功率微波器件内部抽真空形成一真空腔，真空腔的真空度不超过10毫帕。发射区与束波互作用区之间设置有挡板，挡板上设置有用于引导阴极产生的强流电子束进入束波互作用区的注入口，注入口为环形，环形的直径与阴极直径一致。本发明具有可重频产生C波段高功率微波，束波转换效率高的特点。

主权项

一种重频低磁场轴向C波段高功率微波器件，其特征在于：它包括阳极、阴极、引导磁场发生器、慢波结构和同轴内导体，所述的阳极内部设置有发射区和束波互作用区，所述的阴极设置在发射区内，所述的慢波结构和同轴内导体均设置在阳极的束波互作用区内，所述的阴极与同轴内导体同轴，慢波结构与阳极的内侧固定且设置在同轴内导体的外围，重频低磁场轴向C波段高功率微波器件内部抽真空形成一真空腔，所述真空腔的真空度不超过10毫帕；所述的发射区与束波互作用区之间设置有挡板，所述的挡板的一端与阳极内侧相连，挡板的另一端固定在同轴内导体上；所述的挡板上设置有用于引导阴极产生的强流电子束进入束波互作用区的注入口，注入口为环形，环形的直径与阴极直径一致。