[发明专利]一种增强量子效率的PtSi红外探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610498541.0 申请日: 2016-06-29
公开(公告)号: CN106057955A 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 王岭雪;康冰心;蔡毅 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 高燕燕;仇蕾安
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种增强量子效率的PtSi红外探测器,包括自上而下三层结构,分别为二氧化硅介质、PtSi金属膜和p‑Si衬底;二氧化硅介质中具有金属氧化物微纳米颗粒阵列;金属氧化物微纳米颗粒阵列为采用类金属材料铝掺杂氧化锌制成的金属球有序阵列;p‑Si衬底的底部具有亚波长光栅抗反射结构;亚波长光栅抗反射结构包括p‑Si衬底的底部刻蚀的亚波长光栅以及在亚波长光栅上覆盖的二氧化硅抗反射膜。本发明解决了传统的探测器因量子效率在中波红外波段(3μm‑5μm)低导致热灵敏度不高的问题,改善了探测器的热灵敏度。
搜索关键词: 一种 增强 量子 效率 ptsi 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种增强量子效率的PtSi红外探测器,其特征在于,包括自上而下三层结构,分别为二氧化硅介质、PtSi金属膜和p‑Si衬底;所述二氧化硅介质中具有金属氧化物微纳米颗粒阵列;所述金属氧化物微纳米颗粒阵列为采用类金属材料铝掺杂氧化锌制成的金属球有序阵列;所述p‑Si衬底的底部具有亚波长光栅抗反射结构;所述亚波长光栅抗反射结构包括p‑Si衬底的底部刻蚀的亚波长光栅以及在亚波长光栅上覆盖的二氧化硅抗反射膜。
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