[发明专利]基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器及制备方法在审
| 申请号： | 201610490292.0 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106057959A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 兰建龙 | 申请（专利权）人： | 兰建龙 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 545600 广西壮族自治区柳州市*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器，紫外光探测器从下到上依次包括超薄硅片衬底、采用溶胶凝胶法在硅片衬底上生长的纳米SrTiO3薄膜与纳米ZnO薄膜构成的ZnO/SrTiO3异质结有源层、在ZnO/SrTiO3异质结有源层上用磁控溅射法制备的Au叉指电极；待探测的紫外光从金属叉指电极的上方入射。相应地，本发明还提供了基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器的制备方法。本发明制备的ZnO/SrTiO3异质结金属‑半导体‑金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm‑350nm的紫外线具有良好的检测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 钛酸锶异质结 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于ZnO/SrTiO3异质结有源层的紫外光探测器，其特征在于：从下到上依次包括超薄硅片衬底、采用溶胶凝胶法在硅片衬底上生长的纳米SrTiO3薄膜与纳米ZnO薄膜构成的ZnO/SrTiO3异质结有源层、在ZnO/SrTiO3异质结有源层上用磁控溅射法制备的Au叉指电极，待探测的紫外光(1)从金属叉指电极的上方入射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰建龙，未经兰建龙许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610490292.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
