[发明专利]双模式纠错码/可写入一次存储器编解码器有效

专利信息
申请号: 201610480588.4 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN106201763B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: S·张;Y·朱;C·彼特斯通;S·拉马斯瓦米 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于可写入一次存储器(WOM)码的纠错码(ECC)管理的系统,包括,例如用于在WOM(只写存储器)模式和ECC(纠错码)模式之间选择一个的控制器。一种编解码器布置为在所选的模式中操作。所述编解码器在所述ECC模式中操作时,布置为响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位,标识至少一个位错误的位位置。所述编解码器在所述WOM模式中操作时,布置为从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收要编码且写到所述编址地址的第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的编址位置的WOM编码的字。所述用于写到所述编址位置的WOM编码的字可选地是ECC编码的。
搜索关键词: 双模 纠错码 写入 一次 存储器 编解码器
【主权项】:
一种电路,包括:控制器,其可操作地选择WOM模式即只写存储器模式和ECC模式即纠错码模式中的一个;以及响应于所述控制器的编解码器,在所述ECC模式中可操作地响应于第一接收的数据字的ECC奇偶校验位,标识至少一个位错误的位位置,并在所述WOM模式中可操作地从WOM设备中的编址位置接收WOM编码的字、接收第二接收的数据字并生成用于写到所述WOM设备中的所述编址位置的WOM编码的字,其中所生成的WOM编码的字是响应于所述第二接收的数据字生成的,并包括来自所述第二接收的数据字的信息。
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