[发明专利]一种籽晶重复利用铸造多晶的方法在审

专利信息
申请号: 201610469504.7 申请日: 2016-06-26
公开(公告)号: CN106191993A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 刘瑞柱;刘郭军;刘福强;方圆;张永坦;郑阳勋;刘长辉;赵会前;陈广峰;张腾 申请(专利权)人: 河南盛达光伏科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 安阳市智浩专利代理事务所 41116 代理人: 王好勤
地址: 456400 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种籽晶重复利用铸造多晶的方法,涉及高效多晶铸造生产技术领域,包括将半熔高效硅锭的尾料进行喷砂、酸洗处理,在坩埚底部先铺2‑3mm的碎片料,将处理后的尾料按照5×5依次铺满,所述铺底尾料切割面朝上,在所述铺底尾料上方铺5‑10mm厚碎料,最后在所述碎料的上方按照硅料大小依次铺装含有P型掺杂剂的多晶硅料。本发明的有益效果是:将半熔高效多晶铸锭过程中产生的循环尾料作为铸造高效多晶的籽晶,控制化料时坩埚底部的温度,使熔融硅液在重复利用的尾料籽晶上延续生长,且尾料籽晶可以无限次重复使用,从而解决了半熔高效多晶生产中铺底籽晶需要每炉更换的问题,有效的降低了生产成本。
搜索关键词: 一种 籽晶 重复 利用 铸造 多晶 方法
【主权项】:
一种籽晶重复利用铸造多晶的方法,包括将半熔高效硅锭的尾料进行喷砂、酸洗处理,在坩埚底部先铺2‑3mm厚的碎片料,将处理后的尾料按照5×5依次铺满,所述铺底尾料切割面朝上,然后在所述铺底尾料上方铺5‑10mm厚的碎料,最后在所述碎料的上方按照硅料大小依次铺装含有P型掺杂剂的多晶硅料。
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