[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201610465623.5 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106024633A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孙超超;王超;刘华锋;赵生伟;顺布乐;杨磊;胡重粮;杨盟;吕景萍;谢霖;孙士民;丁多龙 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括：在形成有半导体层的衬底基板上形成具有均匀厚度的第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行重掺杂，以形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，得到均匀厚度的第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行轻掺杂，以形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区。该方法可以充分地利用光刻胶，精确高效控制源极轻掺杂区、漏极轻掺杂区的关键尺寸，保证产品的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在形成有半导体层的衬底基板上形成具有均匀厚度的第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行重掺杂，以形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区；对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，得到均匀厚度的第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜对所述半导体层进行轻掺杂，以形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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