[发明专利]宽频带同轴谐振腔在审
申请号: | 201610459382.3 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN106159408A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 李恩;余承勇;郭高凤;张云鹏 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P7/04 | 分类号: | H01P7/04;H01P7/06 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种宽频带同轴谐振腔,包括外导体、外导体内部同轴设置的内导体、外导体上方的上端盖、外导体底部的下端盖,内、外导体、上端盖、下端盖构成一个同轴谐振腔,外导体侧壁下端关于谐振腔中轴线对称设置两个通孔,通孔中用于插入耦合环,外导体侧壁外表面沿周向均匀设置向谐振腔中心垂直延伸的若干槽体,所述槽体的深度小于外导体的侧壁厚度,槽体的内部设有延伸至外导体内壁的宽度小于槽体的缝隙,槽体内填充有覆盖缝隙的吸波材料;本发明采用上述方案,能够有效的抑制大部分杂模,使得主模更加易于识别,尤其在较高频率范围内,效果更加明显,最终能够在0.6~13.5GHz的较宽频带范围内得到一个比较“纯净”的TEM00p模式频谱,覆盖十多个离散频点。 | ||
搜索关键词: | 宽频 同轴 谐振腔 | ||
【主权项】:
一种宽频带同轴谐振腔,其特征在于:包括外导体、外导体内部同轴设置的内导体、外导体上方的上端盖、外导体底部的下端盖,所述外导体、内导体、上端盖、下端盖均为金属,所述内、外导体、上端盖、下端盖构成一个同轴谐振腔,外导体侧壁下端关于谐振腔中轴线对称设置两个通孔,通孔中用于插入耦合环,所述外导体侧壁外表面沿周向均匀设置向谐振腔中心垂直延伸的若干槽体,所述槽体的深度小于外导体的侧壁厚度,槽体的内部设有延伸至外导体内壁的宽度小于槽体的缝隙,所述槽体内填充有覆盖缝隙的吸波材料。
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