[发明专利]溶解度发生改变的组合物、空穴传输材料组合物和使用了它们的有机电子元件有效

专利信息
申请号: 201610444736.7 申请日: 2012-09-26
公开(公告)号: CN105885020B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 舟生重昭;浅野直纪;石塚健一 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;C08L65/00;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 钟晶,金鲜英
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种溶解度发生改变的组合物、空穴传输材料组合物和使用了它们的有机电子元件。本发明的实施方式涉及一种组合物,其含有聚合物或低聚物(A)和引发剂(B),通过施加热、光或热和光两者,溶解度发生改变,所述聚合物或低聚物(A)包含具有空穴传输性的重复单元且包含具有或不具有取代基的噻吩基。
搜索关键词: 溶解度 发生 改变 组合 空穴 传输 材料 使用 它们 有机 电子元件
【主权项】:
一种组合物,其含有聚合物或低聚物(A)和引发剂(B),通过施加热、光或热和光两者,溶解度发生改变,所述聚合物或低聚物(A)包含具有空穴传输性的重复单元且包含具有或不具有取代基的噻吩基,聚合物或低聚物(A)具有选自由下述的式(IIa)所示的结构、式(IIb)所示的结构、式(IIIa)所示的结构和式(IIIb)所示的结构组成的组中的至少1种结构,式(IIa)和(IIb)中的R1~R3分别独立地表示氢原子或烷基,R1~R3中的至少1个为氢原子,Ara表示芳烃二基或杂芳烃二基,式(IIIa)和(IIIb)中的R1~R3分别独立地表示氢原子或烷基,R1~R3中的至少1个为氢原子,Arb表示芳烃三基或杂芳烃三基。
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