[发明专利]单斜相VO2金属-绝缘体相变陶瓷材料的快速制备方法

摘要

本发明涉及VO₂单斜相VO₂金属‑绝缘体相变陶瓷材料的快速制备方法。该方法采用水热法以柠檬酸还原V₂O₅，经过离心清洗得到正交相VO₂纳米粉体，再经高温热处理得到单斜相VO₂粉体，最后经压片烧结得到单斜相VO₂金属‑绝缘体相变陶瓷。本发明工艺简单，制备效率高，烧结温度低，能耗小，成本低，环保无毒无污染，且制成的陶瓷相变性能好，结构稳定均匀。

主权项

1.一种单斜相VO2金属‑绝缘体相变陶瓷材料的快速制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：(1)室温下，首先，将称量好的柠檬酸放入烧杯中，加入去离子水，在磁力搅拌下溶解，形成透明溶液；然后称量分析纯的五氧化二钒放入烧杯中，一并磁力搅拌，形成均匀溶液；其中五氧化二钒与柠檬酸的物质的量比为1:1.5～2.5，混合溶液的柠檬酸‑五氧化二钒浓度为0.025±5％g/mL；(2)将搅拌均匀的混合溶液倒入密闭高温高压容器中，然后将容器放入烘箱中以170℃～190℃加热，保证容器内部进行高温高压水热反应；反应时间为5～10h；(3)待反应结束后，再对反应液进行固液分离：将沉淀进行离心清洗；再将沉淀悬浊液倒入烧杯中，最后放入烘箱中80℃～100℃干燥，得到正交相VO2粉体；(4)将正交相VO2粉体在真空环境下，500℃～600℃保温2h后随炉冷却至室温，去除有机物，且真空热处理过程中发生相变，得到单斜相VO2粉体；(5)将单斜相VO2粉体研磨、压片烧结，烧结温度为700℃～1000℃，烧结时间为2～5h，随后随炉冷却至室温得到单斜相VO2金属‑绝缘体相变陶瓷材料。