[发明专利]一种制备高质量钙钛矿晶体薄膜的方法在审
申请号: | 201610431212.4 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN106058060A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 李静;瞿慧;尹君 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;游学明 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种简单快速制备高质量钙钛矿晶体薄膜的方法,属于太阳能电池技术领域。主要步骤为先在衬底上通过成膜工艺形成平整的碘化铅薄膜,然后用CH3NH3X与HC(NH2)2X的混合溶液处理PbI2薄膜,再经过热处理即可获得高质量钙钛矿晶体薄膜。在不采用真空设备、手套箱等设备条件下,本发明的方法也能够制备出厚度可控、结晶度好、覆盖率高、表面平整光滑、吸光性能好的钙钛矿晶体薄膜,而且工艺操作简单,制备周期短。将通过本方法制得的钙钛矿晶体薄膜作为光吸收材料应用在太阳能电池中,所制备的电池器件效率高、稳定性好,这对于实现高效率钙钛矿太阳能电池的低成本制作具有重要参考价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 质量 钙钛矿 晶体 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种简单快速制备高质量钙钛矿晶体薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在表面涂有PbI2薄膜的透明导电衬底上快速滴加CH3NH3X与HC(NH2)2X的混合溶液,X为卤素碘离子I‑、氯离子Cl‑、溴离子Br‑中的任意一种,通过旋涂方式形成钙钛矿前驱体膜;(2)热处理形成高质量的钙钛矿晶体薄膜;其中,步骤(1)中所述CH3NH3X与HC(NH2)2X的混合溶液的配制方法如下:先将CH3NH3X与HC(NH2)2X按摩尔比x:(1‑x)或(1‑x):x混合,再将此混合物完全溶解在异丙醇溶剂中;其中,0.1≤x≤0.4,混合物溶质的浓度为0.37~0.46mM。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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