[发明专利]一种在室温环境下向砷化镓材料引入杂质的方法有效
| 申请号： | 201610420343.2 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105931951B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 秦国刚;李磊;侯瑞祥;徐万劲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种在室温环境下向砷化镓材料中引入杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入砷化镓材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于砷化镓晶片的掺杂，还可以用于砷化镓器件的掺杂，与传统的高温扩散和离子注入工艺相比，既便捷又经济。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 环境 砷化镓 材料 引入 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种向砷化镓材料中引入杂质的方法，在室温环境下，不对砷化镓材料施加偏置电压的情况下，仅利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使杂质源的原子或离子进入等离子体，杂质原子或离子与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入到砷化镓材料中。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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