[发明专利]光伏装置及其制造方法在审
申请号: | 201610416638.2 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN106098834A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 劳伦斯·M·伍兹;约瑟夫·H·阿姆斯特朗 | 申请(专利权)人: | 阿森特太阳能技术公司 |
主分类号: | H01L31/065 | 分类号: | H01L31/065;H01L31/043;H01L31/0465;H01L31/18 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;杨莘 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光伏装置及其制造方法。光伏装置包括:至少第一和第二下层光伏电池;至少第一上层光伏电池;图案化导电层的至少一个导电形状,将包括第一上层光伏电池和第一下层光伏电池的堆与第二下层光伏电池串联耦合;导电黏合剂,将第一上层光伏电池粘附至第一下层光伏电池,第一上层光伏电池设置成接收光,第一下层光伏电池设置为接收穿透第一上层光伏电池的光,导电黏合剂能够传输至少部分光,使第一上层光伏电池与第一下层光伏电池串联地电耦合;以及电池串,包括串联地电耦合的多个I‑III‑VI电池而不包括III‑V电池,电池串与所述堆并联耦合,多个I‑III‑VI电池中的至少一个与第一下层光伏电池和第二下层光伏电池相邻;其中,第一上层光伏电池不具有单晶衬底。 | ||
搜索关键词: | 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏(PV)装置,包括:至少第一下层光伏电池和第二下层光伏电池,每个下层光伏电池包括:衬底,金属的背接触层,I‑III‑VI半导体吸收体层,异质结相伴层,以及透明导体层;至少第一上层光伏电池,包括:III‑V半导体吸收体层,半导体结层,以及上透明导体层;图案化导电层的至少一个导电形状,所述形状应用在所述第一上层光伏电池的所述上透明导体层上并与所述第一上层光伏电池的所述上透明导体层相接触,所述形状与第一和第二下层光伏电池的所述透明导体层分离,并且所述形状耦合至所述第二下层光伏电池的所述背接触层,所述形状用于将堆与所述第二下层光伏电池串联耦合,所述堆包括所述第一上层光伏电池和所述第一下层光伏电池;导电黏合剂,将所述第一上层光伏电池粘附至所述第一下层光伏电池,所述第一上层光伏电池设置成接收光,所述第一下层光伏电池设置为接收穿透所述第一上层光伏电池的光,所述导电黏合剂能够传输至少部分光,所述导电黏合剂使所述第一上层光伏电池与所述第一下层光伏电池串联地电耦合;以及电池串,所述电池串包括串联地电耦合的多个I‑III‑VI电池而不包括III‑V电池,其中所述电池串与所述堆并联耦合,所述电池串的所述多个I‑III‑VI电池中的至少一个与所述第一下层光伏电池和所述第二下层光伏电池相邻;其中,所述第一上层光伏电池不具有单晶衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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