[发明专利]一种基于氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙的方法在审
| 申请号： | 201610394652.7 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106082183A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王权;董金耀;张伟冰;任乃飞;罗鹏鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙的方法，包括如下步骤：步骤1、对碳化硅表面进行预处理，将预处理好的碳化硅放入样品盒内；步骤2、在外延生长石墨烯之前，利用氢气对步骤1中预处理好的碳化硅表面进行刻蚀；步骤3、外延生长制备石墨烯：在惰性气体存在的条件下，将步骤2中刻蚀好的碳化硅进行退火处理，得到单层石墨烯；步骤4、将步骤3得到的单层石墨烯置于真空条件下，然后通入纯度为99.5～99.9％的氧气，在金属钨丝的加热条件下，氧气分子被裂解为氧原子，将裂解的氧原子通入到单层石墨烯样品中，控制氧原子在石墨烯表面的暴露量，实现氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙。通过上述步骤，可以实现对石墨烯0～0.5eV带隙的可控调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧原子 掺杂 可控 调节 石墨 烯带隙 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、对碳化硅表面进行预处理，将预处理好的碳化硅放入样品盒内；步骤2、在外延生长石墨烯之前，利用氢气对步骤1中预处理好的碳化硅表面进行刻蚀；步骤3、外延生长制备石墨烯：在惰性气体存在的条件下，将步骤2中刻蚀好的碳化硅进行退火处理，得到单层石墨烯；步骤4、将步骤3得到的单层石墨烯置于真空条件下，然后通入纯度为99.5～99.9％的氧气，在金属钨丝的加热条件下，氧气分子被裂解为氧原子，将裂解的氧原子通入到单层石墨烯样品中，控制氧原子在石墨烯表面的暴露量，完成石墨烯掺杂过程，实现氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙。
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