[发明专利]钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201610390890.0 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106064945A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘洪;张倩;朱建国;余萍;徐威;陈强;肖定全 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 吕建平;周敏 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷，该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3–yPb(Mg1/2W1/2)O3–(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u wt％CaCO3+v wt％Li2CO3+wmol％Yb2O3，其中0.02≤x≤0.15，0.02≤y≤0.15，0.08≤u≤0.5，0.08≤v≤0.5，0≤w≤0.4。本发明还提供了上述钙、锂、镱共掺杂的PZT基压电陶瓷的制备方法。该压电陶瓷烧结温度低，并且兼具良好的压电性能和较高的居里温度。 | ||
| 搜索关键词： | 钙锂镱共 掺杂 pzt 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷，其特征在于该压电陶瓷的化学通式为xPb(Ni1/3Nb2/3)O3‑yPb(Mg1/2W1/2)O3‑(1–x–y)Pb(Zr0.5Ti0.5)O3+u wt％CaCO3+v wt％Li2CO3+w mol％Yb2O3，其中0.02≤x≤0.15，0.02≤y≤0.15，0.08≤u≤0.5，0.08≤v≤0.5，0≤w≤0.4；u wt％、v wt％表示对应组分占钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷的质量百分比；w mol％表示对应组分占钙锂镱共掺杂的PZT基压电陶瓷的摩尔百分比。
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