[发明专利]一种RIE黑硅电池返工方法在审
| 申请号： | 201610381665.0 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106057967A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 金井升;刘长明;叶飞;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种RIE黑硅电池返工片的返工方法，包括：S1：用HF溶液去除RIE黑硅电池返工片表面的氮化硅膜层，形成RIE黑硅片；S2：利用HNO3、HF和去离子水的混合溶液去除所述RIE黑硅片的表面硅，使其表面形成平整绒面层；S3：对所述RIE黑硅片的表面进行重新制绒，使其表面形成具有绒面结构的绒面层；S4：对所述RIE黑硅片进行扩散、镀减反射膜以及制备电极，获得RIE黑硅电池。能够有效去除RIE黑硅电池返工片的边缘反应不均匀的特征，保证光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rie 电池 返工 方法 | ||
【主权项】：
一种RIE黑硅电池返工片的返工方法，其特征在于，包括：S1：用HF溶液去除RIE黑硅电池返工片表面的氮化硅膜层，形成RIE黑硅片；S2：利用HNO3、HF和去离子水的混合溶液去除所述RIE黑硅片的表面硅，使其表面形成平整绒面层；S3：对所述RIE黑硅片的表面进行重新制绒，使其表面形成具有绒面结构的绒面层；S4：对所述RIE黑硅片进行扩散、沉积减反射膜以及制备电极，获得RIE黑硅电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
