[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 201610379712.8 | 申请日: | 2016-06-01 |
公开(公告)号: | CN105914213B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 周志超;夏慧 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板包括:第一绝缘层设置于基板上;源极图案设置于第一绝缘层内;环状栅极图案设置于第一绝缘层上且环绕于源极图案的外围;第二绝缘层覆盖于环状栅极图案上;半导体图案设置于环状栅极图案的环绕区域内且与源极图案的外露部分电性连接,半导体图案与环状栅极图案之间进一步由第二绝缘层电性绝缘;像素电极设置于第二绝缘层上且与半导体图案的远离基板的一侧电性连接。通过上述方式,本发明能够增加沟道的宽长比,进而提高开态电流。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:基板;第一绝缘层,设置于所述基板上;源极图案,设置于所述第一绝缘层内;环状栅极图案,设置于所述第一绝缘层上且环绕于所述源极图案的外围;第二绝缘层,覆盖于所述环状栅极图案上,其中所述源极图案的远离所述基板的一侧经所述第一绝缘层和所述第二绝缘层至少部分外露;半导体图案,设置于所述环状栅极图案的环绕区域内且与所述源极图案的外露部分电性连接,所述半导体图案与所述环状栅极图案之间进一步由所述第二绝缘层电性绝缘;像素电极,设置于所述第二绝缘层上且与所述半导体图案的远离所述基板的一侧电性连接;与所述源极图案电性连接的数据线;所述源极图案包括层叠设置的第一源极图案层和第二源极图案层,其中所述第一源极图案层与所述数据线为同一材料,所述第二源极图案层与所述环状栅极图案为同一材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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