[发明专利]La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610377055.3 申请日: 2016-05-31
公开(公告)号: CN106083039A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 马卫兵;王燕云;郭瑶仙 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/49 分类号: C04B35/49;C04B35/622;H01L41/43
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,其化学式Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%。先按化学计量比配料、球磨、烘干后于750℃合成;再经二次球磨后,烘干,过筛,得到陶瓷粉体;再外加8%PVA造粒,压制成型为坯体;坯体于650℃排胶处理,于1260℃烧结,制得压电陶瓷片;再将压电陶瓷片涂覆银电极,于735℃煅烧,再置于硅油中,在120℃、3KV/mm的场强极化15min,制得La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷。本发明提高了压电系数、介电常数,综合性能优异,d33=656pC/N,ε33T0=5403,且工艺方法简单,成本较低,便于大规模生产,可应用于对应变要求较高的各种器件中。
搜索关键词: la 掺杂 psn pnn pzt 压电 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,其化学式为Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%;上述La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷的制备方法,步骤如下:(1)配料,球磨将原料Pb3O4、Nb2O5、Sb2O3、ZrO2、TiO2、Ni2O3、La2O3,按Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%的化学计量比配料,球磨4h,并烘干;(2)合成将步骤(1)混合均匀的粉体置于坩埚中,将坩埚放于马弗炉中升温至750℃合成,保温3h;合成后的原料再次球磨4h,烘干后过40目筛,得到陶瓷粉体;(3)造粒,成型将步骤(2)的陶瓷粉体外加8%PVA造粒,取适量造粒后的粉体放入模具中,然后压制成型为压电陶瓷坯体;(4)排胶将步骤(3)获得的压电陶瓷坯体于650℃进行排胶处理30min;(5)烧结将步骤(4)排胶后的压电陶瓷坯体放在坩埚中,密封;将坩埚置于高温炉里,升温至1260℃,保温2h,制得压电陶瓷片。(5)被银将步骤(4)烧结后的压电陶瓷片在砂纸上抛光处理,通过丝网印刷涂覆银电极,然后将压电陶瓷片于735℃马弗炉中煅烧15min;(6)极化将步骤(5)煅烧后的压电陶瓷片放置于硅油中,升温至120℃,用3KV/mm的场强极化15min,然后自然冷却,制得La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,放置1天后测试性能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610377055.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top