[发明专利]La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 201610377055.3 | 申请日: | 2016-05-31 |
公开(公告)号: | CN106083039A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 马卫兵;王燕云;郭瑶仙 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/622;H01L41/43 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,其化学式Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%。先按化学计量比配料、球磨、烘干后于750℃合成;再经二次球磨后,烘干,过筛,得到陶瓷粉体;再外加8%PVA造粒,压制成型为坯体;坯体于650℃排胶处理,于1260℃烧结,制得压电陶瓷片;再将压电陶瓷片涂覆银电极,于735℃煅烧,再置于硅油中,在120℃、3KV/mm的场强极化15min,制得La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷。本发明提高了压电系数、介电常数,综合性能优异,d33=656pC/N,ε33T/ε0=5403,且工艺方法简单,成本较低,便于大规模生产,可应用于对应变要求较高的各种器件中。 | ||
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【主权项】:
一种La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,其化学式为Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%;上述La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷的制备方法,步骤如下:(1)配料,球磨将原料Pb3O4、Nb2O5、Sb2O3、ZrO2、TiO2、Ni2O3、La2O3,按Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%的化学计量比配料,球磨4h,并烘干;(2)合成将步骤(1)混合均匀的粉体置于坩埚中,将坩埚放于马弗炉中升温至750℃合成,保温3h;合成后的原料再次球磨4h,烘干后过40目筛,得到陶瓷粉体;(3)造粒,成型将步骤(2)的陶瓷粉体外加8%PVA造粒,取适量造粒后的粉体放入模具中,然后压制成型为压电陶瓷坯体;(4)排胶将步骤(3)获得的压电陶瓷坯体于650℃进行排胶处理30min;(5)烧结将步骤(4)排胶后的压电陶瓷坯体放在坩埚中,密封;将坩埚置于高温炉里,升温至1260℃,保温2h,制得压电陶瓷片。(5)被银将步骤(4)烧结后的压电陶瓷片在砂纸上抛光处理,通过丝网印刷涂覆银电极,然后将压电陶瓷片于735℃马弗炉中煅烧15min;(6)极化将步骤(5)煅烧后的压电陶瓷片放置于硅油中,升温至120℃,用3KV/mm的场强极化15min,然后自然冷却,制得La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,放置1天后测试性能。
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