[发明专利]利用地磁场标定非晶材料GMI性能的方法有效
| 申请号： | 201610367377.X | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106054091B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 徐明;周宗潭;郭善磁;徐晓红;王志华 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪;谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用地磁场标定非晶材料GMI性能的方法，步骤包括：1)使用交流电压源驱动被标定的非晶材料，并为被标定的非晶材料串接分压电阻；2)在非屏蔽条件下沿水平面转动被标定的非晶材料，记录被标定的非晶材料输出电压的峰峰值最大值、峰峰值最小值；3)将所述峰峰值最大值作为被标定的非晶材料平行于地磁场时输出的电压Vs，将所述峰峰值最小值作为被标定的非晶材料垂直于地磁场时输出的电压Vp，根据式(1)计算被标定的非晶材料的灵敏度。本发明具有不依赖于磁屏蔽环境，在非屏蔽条件下利用地磁场即可实现标定，标定准确度高、方法简单可靠的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 地磁场 标定 材料 gmi 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用地磁场标定非晶材料GMI性能的方法，其特征在于步骤包括：1）使用交流电压源驱动被标定的非晶材料，并为被标定的非晶材料串接分压电阻；2）在非屏蔽条件下沿水平面转动被标定的非晶材料，记录被标定的非晶材料输出电压的峰峰值最大值、峰峰值最小值；3）将所述峰峰值最大值作为被标定的非晶材料平行于地磁场时输出的电压Vs，将所述峰峰值最小值作为被标定的非晶材料垂直于地磁场时输出的电压Vp，根据式（1）计算被标定的非晶材料的灵敏度；K=（Vp‑Vs）/B （1）式（1）中，K表示被标定的非晶材料的灵敏度，B为地磁场大小。
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