[发明专利]一种射频功率放大器及射频芯片有效
申请号: | 201610364408.6 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106059514B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 黄清华;刘磊;刘海玲;李文昌 | 申请(专利权)人: | 宜确半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H03F3/19 | 分类号: | H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24;H03F1/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种射频功率放大器及射频芯片,增加设置了静电释放电路,静电释放电路包括一个二极管或串联的多个二极管。静电释放电路在射频功率放大器和射频芯片正常工作以及电源负向放电过程中不起作用,不影响射频功率放大器的正常使用和电源的负向放电;而当电源正向放电时,静电释放电路导通,在静电释放电路的脉冲电压激励下,将第一偏置电路与偏置电压连接点处的节点的电压抬升,得到瞬时高压,从而将共源共栅射频放大电路中的第一晶体管和第二晶体管的控制端电压抬升,使得共源共栅射频放大电路中的第一晶体管和第二晶体管导通,实现射频功率放大器的电源正向放电,使得射频功率放大器不仅具有电源负向放电功能还能兼顾电源正向放电。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 功率放大器 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种射频功率放大器,其特征在于,包括:共源共栅射频放大电路、偏置电压、第一偏置电路、第二偏置电路和静电释放电路;所述共源共栅射频放大电路包括第一晶体管、第二晶体管和电源;所述电源通过所述静电释放电路连接所述第二偏置电路的一端,所述静电释放电路包括一个二极管或串联的多个二极管;所述电源通过所述静电释放电路中的至少一个二极管连接所述第一偏置电路的一端和所述偏置电压;所述第一偏置电路的另一端与所述第一晶体管的控制端相连;所述第二偏置电路的另一端与所述第二晶体管的控制端相连;所述第一偏置电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管;所述第一电阻的一端与所述第三晶体管的第一端、所述第五晶体管的第一端相连,并与所述偏置电压相连;所述第一电阻的另一端连接所述第三晶体管的控制端、所述第五晶体管的控制端以及所述第四晶体管的第一端;所述第三晶体管的第二端连接所述第三电阻的一端,所述第三电阻的另一端接地;所述第四晶体管的控制端连接所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接所述第三晶体管的第二端,所述第四晶体管的第二端接地;第五晶体管的第二端通过第四电阻接地,且与第五电阻的一端相连;所述第五电阻的另一端与所述第一晶体管的控制端相连,并与所述第六晶体管的第一端相连;所述第六晶体管的控制端和第二端相连并接地。
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