[发明专利]制造石墨烯场效晶体管的方法有效
| 申请号： | 201610356807.8 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107437505B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造独立双栅极石墨烯场效晶体管的方法，包括：在硅基板上形成硅化锗外延层；将碳离子注入所述硅基板；热退火以直接合成碳化硅沉淀物，其中，所述碳化硅的晶格与所述硅化锗的晶格对齐；在所述碳化硅表面选择性生长石墨烯；在所述石墨烯上形成一介电层并进行图案化，其中，所述图案化的图案宽度小于10nm；以及在所述石墨烯上形成源极与漏极，并在所述介电层上形成栅极；避免因转移石墨烯所导致的损害，并且由此制造的石墨烯场效晶体管能够维持石墨烯的高硬度、高导热系数、高电子迁移率、低电阻等优异特性，并达到小尺寸、高速度、低能耗、低产热的产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 石墨 烯场效 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制造独立双栅极石墨烯场效晶体管的方法，包括：在硅基板上形成硅化锗外延层；将碳离子注入所述硅基板；热退火以直接合成碳化硅沉淀物，其中，所述碳化硅的晶格与所述硅化锗的晶格一致；在所述碳化硅表面选择性生长石墨烯；在所述石墨烯上形成一介电层并进行图案化，其中，所述图案化的图案宽度小于10nm；以及在所述石墨烯上形成源极与漏极，并在所述介电层上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
