[发明专利]环栅III-V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610352706.3 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107424994B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/423 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种环栅III‑V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法，该器件包括III‑V量子阱晶体管及锗无结晶体管；所述III‑V量子阱晶体管包括：第一Ge带结构、N | ||
| 搜索关键词： | 环栅 iii 量子 晶体管 结晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种环栅III-V量子阱晶体管及锗无结晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：/n步骤1)，提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成SiGe层；/n步骤2)，于所述SiGe层及硅衬底中制作浅沟道隔离结构，去除硅衬底表面的浅沟道隔离结构，获得位于所述硅衬底表面的SiGe凸起结构；/n步骤3)，于所述SiGe凸起结构表面外延SiGe，形成SiGe带结构；/n步骤4)，对各SiGe带结构进行氧化浓缩工艺形成由氧化层包围的Ge带结构，去除所述氧化层，并对所述硅衬底表面进行氧化形成表面氧化层；/n步骤5)，于第一Ge带结构表面依次形成环绕的N
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610352706.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
