[发明专利]III-V族量子点、其制备方法及其应用

摘要

本发明提供了III‑V族量子点、其制备方法及其应用。该制备方法包括：S1，将III族元素前体、溶剂、表面活化剂、III‑V族量子点晶种混合，得到混合体系；S2，加热混合体系至第一温度；以及S3，向温度为第一温度的混合体系中加入V族元素前体，得到III‑V族量子点，其中，III‑V族量子点晶种带有羧酸配体，表面活化剂为乙酰丙酮或乙酰丙酮的衍生物或带有羧酸基团的化合物RCOOH，第一温度为120℃～200℃之间。将上述反应温度控制在120℃以上，晶种提供了成核位点，因为自成核的能垒比在晶种上生长更高，因此可以使成核和生长分开，进而利于III‑V族量子点的生长而影响粒径分布。

主权项

1.一种III‑V族量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1，将III族元素前体、溶剂、表面活化剂、III‑V族量子点晶种混合，得到混合体系；S2，加热所述混合体系至第一温度；以及S3，向温度为所述第一温度的所述混合体系中加入V族元素前体，得到所述III‑V族量子点，其中，所述III‑V族量子点晶种带有羧酸配体，所述表面活化剂为乙酰丙酮或乙酰丙酮的衍生物或带有羧酸基团的化合物RCOOH，所述第一温度为120℃～200℃之间，所述衍生物具有以下结构式：其中，P1和P2分别独立地选自烷基、具有取代基的烷基、烯基、具有取代基的烯基和芳基中的任意一种基团，所述RCOOH中的R是碳数≤9饱和烃基，所述羧酸配体为碳数≥8的羧酸盐配体。