[发明专利]不影响正表面的晶硅PERC电池碱抛光方法在审
| 申请号： | 201610338063.7 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105845778A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张娟;李高非;王继磊;付少剑;黄金;白炎辉 | 申请（专利权）人： | 晋能清洁能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 033000 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于光伏太阳能电池的制造技术，涉及一种不影响正表面的晶硅PERC电池碱抛光方法。经过以下步骤：a.将原硅片在KOH质量比为10%~20%，温度为78~83℃的抛光液中反应160~180s抛光；b.抛光后硅片通过PECVD镀100~120nm SiNx膜作为掩膜；c.将镀膜后的硅片过HF 80~100s以彻底去除正面绕镀SiNx膜；d.将去绕镀的硅片在KOH质量比为1.5%~3%、温度为80~82℃的制绒槽中进行制绒，制绒时间为1100~1300s；e.制绒后的硅片按照常规的PERC电池制备方法完成后序的步骤。本发明既能得到较为均匀抛光面，同时又避免了对正面造成影响，进而提高了电池性能。 | ||
| 搜索关键词： | 影响 表面 perc 电池 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种不影响正表面的晶硅PERC电池碱抛光方法，其特征是：经过以下步骤，a.将原硅片在KOH质量比为10%~20%，温度为78~83℃的抛光液中反应160~180s抛光；b.抛光后硅片通过PECVD镀100~120nm SiNx膜作为掩膜；c.将镀膜后的硅片过HF 80~100s以彻底去除正面绕镀SiNx膜；d.将去绕镀的硅片在KOH质量比为1.5%~3%、温度为80~82℃的制绒槽中进行制绒，制绒时间为1100~1300s；e.制绒后的硅片按照常规的PERC电池制备方法完成后序的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晋能清洁能源科技有限公司，未经晋能清洁能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610338063.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
