[发明专利]基于3D打印制备侧壁反光镜DUV LED

摘要

本发明属于光电子器件领域，具体是一种基于3D打印制备侧壁反光镜DUV LED。提供MOCVD或MBE生长的具有AlN缓冲层、n‑AlGaN层、多周期的Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN有源层（其中x<y）、p‑AlGaN层及p‑GaN接触层的外延片，然后将外延片刻蚀成具有倾斜侧壁的微米级直条纹，然后将其作为基片，3D打印电极、紫外透光介质层及反光镜反光层。本发明中紫外透明介质层即是有源层和金属反射镜之间的电绝缘层又是侧壁的电钝化层，紫外透明介质层和反光镜反光层组合在一起形成全方位的反射镜可以把TM模侧向发射光反射向衬底，提高出光效率。而3D打印生产工艺简单，能够有效的提高生产效率。

主权项

1.一种基于3D打印制备侧壁反光镜DUV LED，其特征在于，步骤一：提供MOCVD或MBE生长具有AlN缓冲层、n-AlGaN层、多周期的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN有源层、p-AlGaN层及p-GaN接触层的外延片，其中x&lt;y；步骤二：于外延片上均匀平行刻蚀出若干微米级直条纹，刻蚀深度达到n-AlGaN层，直条纹的分布密度为5-50个/mm2，并对直条纹形成的侧壁进行刻蚀形成倾角大于0°且小于90°的倾斜侧壁；步骤三：编写各3D打印头的运动路径程序，将清洁好的外延片作为基片放入3D打印机中，利用单个或阵列式3D N型电极打印头在暴露的n-AlGaN层上打印n型电极；利用单个或阵列式3D P型电极打印头在各直条纹之间的p-GaN接触层上打印p型电极，p型电极位于p-GaN接触层中部，且其纵截面面积为p-GaN接触层纵截面面积的三分之一；利用单个或阵列式3D 紫外光介质材料打印头在每个倾斜侧壁上打印紫外透光介质层，且该介质层一端延伸至n型电极台面，另一端延伸至p型电极台面；利用单个或阵列式3D 高反射金属材料打印头在每个倾斜侧壁上的紫外透光介质层上打印反射镜反光层，且该反射镜反光层的一端延伸至倾斜侧壁与直条纹的交界处，另一端延伸至p-GaN接触层以上且止位于p型电极。