[发明专利]一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法及其应用有效
申请号: | 201610300455.4 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN105914299B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 余璇;于晓明;陈立桥;潘洪军 | 申请(专利权)人: | 浙江海洋大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 316000 浙江省舟*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法,ITO/AZO薄膜一/AZO薄膜二/AZO薄膜三/P3HT:PCBM,作为倒结构聚合物太阳电池中的电子传输层,不但能够提高AZO薄膜的结构特性,提高AZO薄膜导电性的纵向均匀性,而且在大气环境下即可制备完成,有效降低电池内部载流子复合机率,显著提高电池短路电流密度和填充因子,实现电池光电转换效率的大幅提升。特别是该方法简单易行,与商业化大面积生产制备工艺兼容,从而能够加快倒结构聚合物太阳电池的产业化进程,满足社会需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 梯度 掺杂 azo 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种梯度掺杂AZO薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:a)称取1‑3克二水合醋酸锌和0.01‑0.1克九水合硝酸铝溶解在10‑30毫升乙醇溶液中;取0.1‑0.5毫升单乙醇胺加入溶液,制备Al‑Zn原子比分别为0.1‑0.5at%前驱液A、0.6‑1.0at%前驱液B与1.1‑1.5at%前驱液C,将配置好的溶液在20‑80℃下搅拌0.1‑1h,在室温条件下陈化24 h,待用;b)将ITO玻璃衬底浸入附着力促进液中,超声处理45‑60min;然后取出加入丙酮超声处理15‑30min,取出后使用去离子水冲洗,然后使用氮气将基板吹干,再进行旋涂前驱液;附着力促进液由以下重量份的原料组成:羟乙基纤维素10‑15份、正硅酸甲酯20‑35份、海藻泥5‑10份、乙酸乙酯80‑100份、硅烷偶联剂15‑25份与醋酸0.1‑0.3份;然后将前驱液A旋涂在洗净并烘干的ITO玻璃衬底上,匀胶机转速为2000‑3000rpm,旋涂时间为10‑40s,在200‑300℃热板上加热30‑50min,得到AZO薄膜一;将前驱液B旋涂在AZO薄膜一上,并将AZO薄膜一的制备方法重复,制备得到AZO薄膜二;将前驱液C滴在AZO薄膜二的表面上, 然后AZO薄膜一的制备方法重复,制备得到AZO薄膜三;得到梯度掺杂AZO薄膜样品,待AZO薄膜样品冷却至室温后,超声处理10 min,去离子水冲洗后,氮气吹干,待用;c)将质量比为 1:0.8的给体材料与受体材料溶解在1毫升氯苯溶液中配置成活性层溶液,避光30‑50℃下加热搅拌12小时后,得到活性层溶液,将活性层溶液滴涂在AZO薄膜样品上,设置匀胶机转速为500‑1000rpm旋涂时间为15‑30s,80‑120℃热板上进1‑20min退火处理;d)将步骤c)得到的样品放入镀膜机中,在10‑4 Pa条件下蒸镀1‑10nm MoO3 和50‑100nm Ag电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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