[发明专利]一种三维多孔碳包裹硅的复合负极材料及其制备方法有效
申请号: | 201610297819.8 | 申请日: | 2016-05-06 |
公开(公告)号: | CN107346820B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 张文军;邹儒佳;袁牧锋 | 申请(专利权)人: | 香港城市大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 杨雯茜;姚亮 |
地址: | 中国香*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | 本发明提供了一种三维多孔碳包裹硅的复合负极材料及其制备方法。该复合负极材料由碳布基底、生长在碳布基底上的三维多孔碳层、以及包裹于三维多孔碳层中的硅纳米材料组成。该复合负极材料的制备方法为:将淀粉、氢氧化钠与水的混合液涂覆在碳布上,然后干燥、煅烧,冷却至室温后放入盐酸溶液中浸泡,洗涤、干燥后,得到具有三维多孔碳层的碳布;将硅纳米材料与乙二醇和/或丙二醇溶液混合,然后与所述具有三维多孔碳层的碳布进行水热反应,冷却至室温后,洗涤、干燥,得到所述的三维多孔碳包裹硅的复合负极材料。本发明提供的复合负极材料是一种高导电性、高容量的负极材料,并且该复合负极材料能够减小硅基材料的体积变化对结构的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 多孔 包裹 复合 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三维多孔碳包裹硅的复合负极材料,该复合负极材料由碳布基底、生长在所述碳布基底上的三维多孔碳层、以及包裹于所述三维多孔碳层中的硅纳米材料组成。
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