[发明专利]一种碳硅异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201610286852.0 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN105957910A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 邢宇鹏;丁穷;杨正春;张楷亮;赵金石 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0376 | 分类号： | H01L31/0376;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 刘书元 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳硅异质结太阳能电池及其制备方法，该电池包括：硅衬底；钝化层，其制作在硅衬底下表面，覆盖硅衬底，为周期性开孔结构；第一电极，其制作在钝化层下表面，覆盖钝化层，通过钝化层的周期性开孔与硅衬底形成周期性接触；第一非晶碳薄膜层，其制作在硅衬底上表面，覆盖硅衬底；第二非晶碳薄膜层，其制作在第一非晶碳薄膜层上表面，覆盖第一非晶碳薄膜层；第二电极，其制作在第二非晶碳薄膜层上表面，宽度小于第二非晶碳薄膜层。与传统晶体硅电池相比，该电池可以更加有效的利用太阳光谱，该电池既可以独立使用，也可以与目前的晶体硅电池组成机械叠层结构，从而提高晶体硅电池的效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳硅异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳硅异质结太阳能电池，其特征是，包括：硅衬底；钝化层，其制作在硅衬底下表面，覆盖硅衬底，为周期性开孔结构；第一电极，其制作在钝化层下表面，覆盖钝化层，通过钝化层的周期性开孔与硅衬底形成周期性接触；第一非晶碳薄膜层，其制作在硅衬底上表面，覆盖硅衬底；第二非晶碳薄膜层，其制作在第一非晶碳薄膜层上表面，覆盖第一非晶碳薄膜层；第二电极，其制作在第二非晶碳薄膜层上表面，宽度小于第二非晶碳薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610286852.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
