[发明专利]射频开关及其制造方法有效
| 申请号： | 201610266684.9 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107316866B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 杨晓芳;王鷁奇;蔡建祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种射频开关及其制造方法。所述射频开关包括衬底，所述衬底上形成有间隔分布的多个单元，相邻单元之间由STI隔离；每个单元包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区，所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区，所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区，所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层，以降低MOM源漏寄生电容。本发明通过在源区、公共源/漏区、漏区及STI上设置连接层，使得在源漏区上不用形成插塞和金属线，一方面降低了由于MOM源漏寄生电容，减少了损耗；另一方面也优化了器件结构，简化了制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频开关，包括衬底，所述衬底上形成有间隔分布多个单元，相邻单元之间由STI隔离；每个单元包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区，所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区，所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区，所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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