[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610260118.7 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870278B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、应力改善层、N型GaN层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层，应力改善层由Al、Ga、N三种元素在体积比为2:1～1:1的N2和H2的气氛下形成，应力改善层的表面不平整。本发明通过在未掺杂GaN层和N型GaN层之间层叠由Al、Ga、N三种元素在体积比为2:1～1:1的N2和H2的气氛下形成的应力改善层，缓解蓝宝石与GaN之间的晶格失配，提高发光二极管的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管，所述氮化镓基发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述氮化镓基发光二极管还包括层叠在所述未掺杂GaN层和所述N型GaN层之间的应力改善层，所述应力改善层由Al、Ga、N三种元素在体积比为2:1～1:1的N2和H2的气氛下形成，所述应力改善层的表面不平整。
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