[发明专利]一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器有效
| 申请号： | 201610258335.2 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789438B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;刘明;刘琦;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cu基阻变存储器的制备方法及存储器，该制备方法包括：通过大马士革铜互连工艺在沟槽中形成铜引线，所述铜引线包含用于生长存储介质的铜下电极，所述铜引线设置于第一盖帽层上方；在所述铜引线上方形成第二盖帽层；在所述第二盖帽层上与所述铜下电极相对应的位置制作孔洞，所述孔洞用于暴露所述铜下电极；对所述铜下电极构图化合处理生成化合物阻挡层，所述化合物阻挡层为元素Cu、Si及N化合形成的化合物或者为元素Cu、Ge及N化合形成的化合物；在所述化合物阻挡层上沉积固态电解液材料和上电极。通过上述技术方案，解决了现有技术中Cu基阻变存储器中Cu离子的注入效率较高的技术问题，提高了存储器的疲劳特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu 基阻变 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cu基阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过大马士革铜互连工艺在沟槽中形成铜引线，所述铜引线包含用于生长存储介质的铜下电极，所述铜引线设置于第一盖帽层上方；在所述铜引线上方形成第二盖帽层；在所述第二盖帽层上与所述铜下电极相对应的位置制作孔洞，所述孔洞用于暴露所述铜下电极；对所述铜下电极构图化合处理生成化合物阻挡层，所述化合物阻挡层为元素Cu、Si及N化合形成的化合物或者为元素Cu、Ge及N化合形成的化合物；在所述化合物阻挡层上沉积固态电解液材料和上电极。
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