[发明专利]一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法在审
| 申请号： | 201610246998.2 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107304330A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和 | 申请（专利权）人： | 江苏天恒纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226601 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法，包括CMP浆料组合物和研磨料，CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，螯合剂为有机化合物，研磨助剂为非离子聚合物颗粒。本发明研磨料采用纳米级二氧化硅溶胶，具有研磨料粒径小、表面张力小、容易清洗等优点，而且抛光速度快，可达到(0.8～1.5μm/min)，在高温时不会出现非均化蚀坑，大大的提高了抛光质量，可广泛应用于硅晶片抛光工艺中及其他半导体材料的抛光工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 浆料 及其 使用 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种硅CMP浆料，包括CMP浆料组合物和研磨料，其特征在于：所述CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，所述研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，所述阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，所述粘度调节剂用以调节CMP浆料体系的第一粘度和第二粘度，所述螯合剂为有机化合物，所述研磨助剂为非离子聚合物颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏天恒纳米科技股份有限公司，未经江苏天恒纳米科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610246998.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
