[发明专利]一种硅CMP浆料及其使用该CMP浆料的抛光方法

权利要求书

1.一种硅CMP浆料，包括CMP浆料组合物和研磨料，其特征在于：所述CMP组合物包括至少一种阴离子聚合物表面活性剂、粘度调节剂、螯合剂和研磨助剂，所述研磨料为纳米级二氧化硅溶胶，所述阴离子聚合物表面活性剂为羧酸盐、磺酸盐、磷酸酯中的任意一种或一种以上的组合，所述粘度调节剂用以调节CMP浆料体系的第一粘度和第二粘度，所述螯合剂为有机化合物，所述研磨助剂为非离子聚合物颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其特征在于：所述阴离子聚合物表面活性剂为以下聚合物中的一种或一种以上的组合：聚丙烯酸盐、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚苯乙烯磺酸盐、萘磺酸甲醛缩合物、缩合烷基本分聚氧乙烯醚磷酸酯。

3.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其特征在于：所述螯合剂为多磷酸盐、氨基羧酸、羟基羧酸、多胺中的任意一种或一种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其特征在于：所述研磨助剂为纳米级球状聚合物颗粒，可为聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、环氧乙烷环氧丙烷共聚物中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种硅CMP浆料，其特征在于：所述研磨料的粒径为60-80nm。

6.一种使用该CMP浆料的抛光方法，其特征在于：包括如下步骤：

a：将研磨料和去离子水混合成具有第一粘度的CMP浆料体系，第一粘度在1.5-2.0cPs内波动；

b：将CMP浆料组合物进行混合加入到具有第一粘度的CMP浆料体系中，通过粘度调节剂调节CMP浆料体系的粘度，使得CMP浆料体系具有第二粘度，第二粘度在1.0-1.6cPs内波动，pH值在10.0-12.0内波动；

c：采用CMP浆料体系抛光多晶硅层形成抛光基面，并将抛光基面暴露，在其表面形成钝化层用以改变多晶硅的除去速率；

d：在多晶硅层的抛光基面辊涂CMP浆料，并施加趋向于多晶硅层与抛光基面接触的力实施抛光。