[发明专利]面积高效的多位触发器拓扑有效
申请号: | 201610237435.7 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN106409342B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 安东尼·马丁·希尔 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | G11C19/28 | 分类号: | G11C19/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及面积高效的多位触发器拓扑。本发明是一种多位触发器寄存器中的内部扫描逻辑的智能连接。此寄存器中的个别位连接于串行扫描链中。在本发明中,串行链为重用位n上的从锁存器与位n+1上的主锁存器之间的逻辑的连接。此导致减少实施所述多位寄存器所需的晶体管的数目的简化接口(433、414、418)。所需晶体管的数目(每位4个晶体管)的此减少促使所需集成电路面积随之减少,借此降低制造成本。替代地,使用本发明而节省的面积可用于其它目的。在不增加制造成本的情况下,此可增加对应集成电路的价值。 | ||
搜索关键词: | 面积 高效 触发器 拓扑 | ||
【主权项】:
一种具有按位可存取的数据且连接于串行扫描链中的多位寄存器,其包括:第一位,其包含正常主及共享从;最后位,其包含共享主及正常从;每一中间位,其位于所述第一位与所述最后位之间,所述每一中间位包含共享主及共享从;每一正常主包含第一对P沟道场效应晶体管,其具有串联连接于电源节点与共同节点之间的源极‑漏极沟道,所述第一对的第一P沟道场效应晶体管具有接收对应位的数据信号的栅极,且所述第一对的第二P沟道场效应晶体管具有接收逆扫描启用信号的栅极,第二对P沟道场效应晶体管,其具有串联连接于所述电源节点与所述共同节点之间的源极‑漏极沟道,所述第二对的第一P沟道场效应晶体管具有从先前位接收扫描输入信号的栅极,且所述第二对的第二P沟道场效应晶体管具有接收扫描启用信号的栅极,第一对N沟道场效应晶体管,其具有串联连接于所述共同节点与接地之间的源极‑漏极沟道,所述第一对的第一N沟道场效应晶体管具有接收所述对应位的所述数据信号的栅极,且所述第一对的第二N沟道场效应晶体管具有接收所述逆扫描启用信号的栅极,第二对N沟道场效应晶体管,其具有串联连接于所述共同节点与接地之间的源极‑漏极沟道,所述第二对的第一N沟道场效应晶体管具有从所述先前位接收所述扫描输入信号的栅极,且所述第二对的第二N沟道场效应晶体管具有接收所述逆扫描启用信号的栅极,第一反相器,其具有连接到所述共同节点的输入及充当主锁存器输出的输出,及第二反相器,其具有连接到所述第一反相器的所述输出的输入及连接到所述第一反相器的所述输入的输出;每一正常从包含第一反相器,其具有连接到对应位的所述主锁存器输出的输入,及输出,第二反相器,其具有连接到所述第一反相器的所述输出的输入,及输出,第三反相器,其具有连接到对应位的所述主锁存器输出的输入及充当所述对应位的所述数据输出的输出,及第四反相器,其具有连接到所述第一反相器的所述输出的输入及充当所述对应位的扫描输出的输出;每一共享主具有第一对P沟道场效应晶体管,其具有串联连接于电源节点与共同节点之间的源极‑漏极沟道,所述第一对的第一P沟道场效应晶体管具有接收对应位的数据信号的栅极,且所述第一对的第二P沟道场效应晶体管具有接收所述逆扫描启用信号的栅极,P沟道场效应晶体管,其具有连接于先前位的扫描输出与所述共同节点之间的源极‑漏极沟道,且具有接收所述扫描启用信号的栅极,第一对N沟道场效应晶体管,其具有串联连接于所述共同节点与接地之间的源极‑漏极沟道,所述第一对的第一N沟道场效应晶体管具有接收所述对应位的所述数据信号的栅极,且所述第一对的第二N沟道场效应晶体管具有接收所述逆扫描启用信号的栅极,N沟道场效应晶体管,其具有连接于先前位的所述扫描输出与接地之间的源极‑漏极沟道,且具有接收所述逆扫描启用信号的栅极,第一反相器,其具有连接到所述共同节点的输入及充当主锁存器输出的输出,及第二反相器,其具有连接到所述第一反相器的所述输出的输入及连接到所述第一反相器的所述输入的输出;每一共享从包含第一反相器,其具有连接到对应位的所述主锁存器输出的输入及充当所述对应位的扫描输出的输出,第二反相器,其具有连接到所述第一反相器的所述输出的输入,及输出,及第三反相器,其具有连接到对应位的所述主锁存器输出的输入及充当所述对应位的所述数据输出的输出;及扫描启用反相器,其连接到所述正常主且每一共享主具有接收扫描启用信号的输入及产生供应到所述正常主及每一共享主的逆扫描启用的输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司,未经德州仪器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610237435.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:写入电压生成电路以及存储器装置
- 下一篇:电场分离电离电荷式核电池