[发明专利]微流道散热芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610226989.7 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107285268B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 付思齐;时文华;李翔;刘彬;缪小虎;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述第三微流通道分别位于所述第二微流通道两侧；所述隔离层上开设有与所述第一微流通道对应的第一通孔、以及与所述第三微流通道对应的第二通孔。本发明提供的微流道散热芯片及其制备方法，所述微流道散热芯片通过将第一、第三微流通道与第二微流通道设置为不同深度来实现对流经其内的液体的流速进行控制，从而能够精确控制散热效果；而且通过所述制备方法制备出的微流道散热芯片成本较低、适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 微流道 散热 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微流道散热芯片，其特征在于，包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸并在所述硅基本体上分别形成第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述第三微流通道分别位于所述第二微流通道两侧；所述隔离层上开设有与所述第一微流通道对应的第一通孔、以及与所述第三微流通道对应的第二通孔。
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